હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં એક ઇલેક્ટ્રોન ઉત્તેજિત અવસ્થા $n$ થી ધરા અવસ્થામાં કૂદકો મારે છે. આ રીતે ઉત્સર્જિત તરંગલંબાઇ $2.75 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે. જો ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $10 \ V$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય શોધો.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $(\lambda/3)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $4$ ગણી હોય, તો પદાર્થની સપાટીનું કાર્યવિધેય (work function) શોધો ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક, $c$ = પ્રકાશની ઝડપ).

ધાતુનું કાર્ય વિધેય ......... છે.

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.2 \ eV$ છે. તેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ .......... $ \mathring A $ હશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન ત્યારે જ થાય છે જ્યારે આપાત પ્રકાશ પાસે ચોક્કસ લઘુત્તમ કરતાં વધુ હોય

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,કેથોડ ધાતુને $600 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. જ્યારે $400 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. કેથોડ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)? [ $h=6.63 \times 10^{-34} \ J-s, c=3 \times 10^8 \ m/s$ નો ઉપયોગ કરો ]